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直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料

直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料 


工藝介紹 (光盤資料)

CZ直拉硅單晶是一項系統工程,不僅需要對拉晶本身的設備衛檢、冷檢、熔料、穩定、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻過程工藝要全面把握,而且也離不開對硅料的分選,清洗、配料、摻雜、熱場、坩堝、機械設備、控制系統等因素的綜合把握,任何一個環節和能力的缺失,都無法保證產品的質量和產量。

本直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料
將系統地對上述各個方面進行從原理到實際操作進行全面的深入淺出的分析闡述,是一份不可多得的硅單晶制備工藝資料。

同時本公司可針對用戶實際生產中存在的問題及新上項目,提供技術咨詢及整體解決方案服務。



包含工藝

從概念理論到實際操作、從發現問題到解決方案工藝過程、從數據公式到表格配方等多方面進行闡述分析直拉單晶工藝;
各種硅料的清洗;
各種硅料的初選及復選;
拉晶過程的全面闡述;
單晶硅的電阻率和摻雜計算;
拉晶過程中的異常情況及其處理;
硅料的檢測分選;
重摻、型號、電阻率檢測;
氧碳檢測;
少子壽命檢測;
硅片硅棒其他檢測;
高純水制備、高純氬氣純化;
石墨熱場、石英坩堝、籽晶;
切斷、滾磨和打磨定位面;
直拉單晶常用數據、公式、表格;
其他......



推薦光盤運行環境

CPU:P3同類檔次或更高檔次以上。
內存: 256M以上內存。
硬盤空間: 10G以上均可。
顯示器: VGA或更高分辨率,建議分辨率為 1024x768像素。
操作系統: Microsoft Windows 2000/XP/Vistas


 

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